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ROHM开发出SiC肖特基势垒二极管“SCS3系列”

来源: 时间:2019-02-27 11:42:36 次数:

全球知名半导体制造商ROHM开发出非常适用于服务器和高端计算机等的电源PFC电路※1的、第3代SiC(Silicon Carbide:碳化硅)肖特基势垒二极管(以下称“SiC-SBD”) “SCS3系列”。

本产品采用新结构,不仅继承了量产中的第2代SiC-SBD所实现的业界最低正向电压※2(VF=1.35V、25℃)的特性,同时还确保了高抗浪涌电流特性。因此,还可用于服务器和高端计算机等的电源PFC电路,非常有助于提高应用的效率。

本产品已于2016年3月开始出售样品,计划于2016年4月开始逐步投入量产。前期工序的生产基地为ROHM Apollo Co., Ltd. (日本福冈县),后期工序的生产基地为ROHM Korea Corporation(韩国)。

今后,ROHM将通过扩大SiC元器件产品的阵容,继续为电力电子设备的节能化作出贡献。

<背景>

近年来,在太阳能发电系统、工业用各种电源装置、电动汽车及家电等电力电子领域,为提高功率转换效率以实现进一步节能,更高效率的功率元器件产品备受期待。SiC器件与以往的Si器件相比,具有优异的材料特性,在这些领域中的应用日益广泛。尤其是在服务器等这类要求更高电源效率的设备电源中,SiC-SBD产品因其快速恢复特性可有效提高效率而被用于PFC电路来提高设备效率。在这些用途中,抗浪涌电流※3特性成为重要的参数。一直以来,ROHM的第1代、第2代SiC-SBD产品均深获客户好评。为了进一步扩大应用范围,ROHM 采用新产品结构,成功开发出保持业界最高水平的低VF特性、并实现高抗浪涌电流特性的产品。

<特点>

1.  保持低VF特性,实现高抗浪涌电流能力

此次开发的第3代SiC-SBD“SCS3系列”,为实现高抗浪涌电流能力,采用了JBS(Junction Barrier schottky)结构。以往的结构是可有效提高抗浪涌电流能力、并改善泄漏特性的结构,而ROHM的第3代最新产品,不仅具备以往产品的特点,而且还进一步改善了第2代SiC-SBD所实现的低VF特性,将作为更高性能的产品大展身手。

 

2.  实现业界最低的正向电压(VF=1.35V/25、1.44V/150

ROHM的第2代SiC-SBD,通过改善工艺和产品结构,实现了业界最低的正向电压。在高温条件下,本产品的VF值比第2代产品更低,导通损耗更低,效率更高。

3.  低泄漏电流特性

一般情况下,降低正向电压会导致反向漏电流增加,而ROHM的第3代最新SiC-SBD产品采用JBS结构,成功减少漏电流并降低正向电压。本产品在额定电压下的漏电流与第2代SiC-SBD相比,低至约1/20(650V、Tj=150℃时)。

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